在第三代半導(dǎo)體襯底材料領(lǐng)域，天岳先進(jìn)已躋身行業(yè)前列，面對(duì)封鎖與突破，公司未來的發(fā)展道阻且長。

2021年的最后一天，華為輪值董事長郭平發(fā)布了新年致辭，并披露了華為2021年略顯無奈的經(jīng)營狀況。2021年全年，華為的營收為6340億，同比驟降28.9%。 

2020年，美國對(duì)華為芯片管制升級(jí)令正式生效，臺(tái)積電停止為華為代工生產(chǎn)麒麟芯片。此舉給華為的手機(jī)業(yè)務(wù)帶來了重創(chuàng)。

如今，前五大手機(jī)廠商已經(jīng)沒有了華為的身影，曾經(jīng)雄霸天下的華為手機(jī)在統(tǒng)計(jì)中被歸為了“Others”，令人唏噓。

這一切，都是源于國內(nèi)高端半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不能實(shí)現(xiàn)自主可控。沒有相關(guān)技術(shù)，被國外“卡脖子”的情況就不可避免。

作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底的龍頭，天岳先進(jìn)（688234）即將登陸科創(chuàng)板，豐富國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的版圖。

華為旗下哈勃投資在2019年的入股，綁定國內(nèi)科技龍頭，天岳的上市更加引發(fā)市場的關(guān)注。

天岳的主營業(yè)務(wù)屬于第三代半導(dǎo)體，被奉為“全村的希望”。在國外部分發(fā)達(dá)國家對(duì)我國實(shí)行技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運(yùn)的背景下，天岳的未來之路注定不是一帆風(fēng)順的。

第三代半導(dǎo)體，兵家必爭之地

半導(dǎo)體已經(jīng)深入到生活的方方面面，它是電子產(chǎn)品的核心，是信息產(chǎn)業(yè)的基石，亦被稱為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。那么何為半導(dǎo)體？ 

常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體材料以及砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體材料。

廣義上，半導(dǎo)體指的是在半導(dǎo)體材料上制作的芯片或者器件。其中，硅基集成電路是最常見的，我們熟知的CPU，GPU芯片都屬于這個(gè)范疇。通俗地講，這種芯片就是在硅片上印刷電路，變成小型化的高速計(jì)算器。

目前，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的，在行業(yè)內(nèi)被統(tǒng)稱為第一代半導(dǎo)體。 

第一代半導(dǎo)體在中國大陸起步較晚，與國際巨頭的差距很大。

舉個(gè)簡單的例子，臺(tái)積電和三星在2021年就已經(jīng)可以量產(chǎn)5納米制程的芯片；而國內(nèi)領(lǐng)先的中芯國際，成熟制程卻只有14納米。

要知道，2016年高端手機(jī)芯片已經(jīng)達(dá)到14納米的制程?？此菩⌒?0納米的差距，實(shí)則是巨大的代際鴻溝。

盡管國家在近幾年大力支持發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)，相關(guān)產(chǎn)業(yè)也得到了飛速的發(fā)展，然而技術(shù)的突破不是一蹴而就的，行業(yè)的經(jīng)驗(yàn)需要時(shí)間的積累。

第一代半導(dǎo)體制程的落后致使國內(nèi)芯片設(shè)計(jì)廠商受制于人，上文提及的華為被制裁就是典型的案例之一。

不過，希望總是要有的。

隨著智能化的普及，第三代半導(dǎo)體逐漸找到了適合其自身的商業(yè)定位。

第三代半導(dǎo)體材料是指以碳化硅、氮化鎵為代表，具備諸多更有優(yōu)勢的物理屬性，更適用于高溫度、高電壓、高頻率的場景，例如各大手機(jī)廠商的快充充電頭就是依靠氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)的。

（第一代和第三代半導(dǎo)體材料各有利弊，并無絕對(duì)的替代關(guān)系，而是在特定的應(yīng)用場景中存在各自的比較優(yōu)勢。）

通常來說，第三代半導(dǎo)體分為碳化硅和氮化鎵兩個(gè)應(yīng)用分支。兩者都需要碳化硅襯底，繼而再進(jìn)行外延（在襯底上淀積一層單晶）。不同點(diǎn)在于兩者的碳化硅襯底不同，最終的應(yīng)用方向也不同。

氮化鎵需要在半絕緣型碳化硅襯底上，淀積氮化鎵外延而得到。碳化硅需要在導(dǎo)電型碳化硅襯底上，淀積碳化硅外延而得到。

來源：公司招股說明書

第三代半導(dǎo)體行業(yè)目前在全球范圍內(nèi)還處于發(fā)展初期階段。雖然國際巨頭在技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)方面依舊領(lǐng)先于國內(nèi)廠商，但是相對(duì)于第一代半導(dǎo)體的差距而言，國內(nèi)和國際巨頭公司之間的整體技術(shù)差距相對(duì)較小。

另外，由于第三代半導(dǎo)體的下游工藝制程具有更高的包容性和寬容度，下游制造環(huán)節(jié)對(duì)設(shè)備的要求相對(duì)較低，投資額相對(duì)較小，制約行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵在上游材料端（襯底）。

碳化硅半導(dǎo)體未來將在5G基站建設(shè)、特高壓、新能源汽車充電樁等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。國內(nèi)若能在上游襯底材料行業(yè)實(shí)現(xiàn)突破，將有望在半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)換道超車。

行業(yè)發(fā)展確定性高，科技含量大，但是國內(nèi)半絕緣型碳化硅襯底的發(fā)展卻很曲折。

2008年《瓦森納協(xié)定》就對(duì)半絕緣型碳化硅襯底材料進(jìn)行明確的限制，部分西方發(fā)達(dá)國家作為協(xié)定成員國對(duì)中國實(shí)施嚴(yán)格禁運(yùn)，制約了國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。

尤其是近期貿(mào)易摩擦的影響，美國代表企業(yè)的對(duì)華出口有明顯的下降趨勢。

以第三代半導(dǎo)體龍頭CREE（科銳）為例，2019財(cái)年對(duì)中國的銷售額為1.16億美元，到2020財(cái)年下降到0.65億美元。

從這個(gè)側(cè)面可以看到國外半導(dǎo)體巨頭對(duì)中國的禁售，封鎖高端半導(dǎo)體相關(guān)原材料，企圖遏制中國半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。

來源：科銳公司官網(wǎng)

“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，上升到國家戰(zhàn)略，足以凸顯第三代半導(dǎo)體的重要性。在當(dāng)今科技為王的時(shí)代，這一領(lǐng)域理所當(dāng)然成為全球的必爭之地。

缺乏市場交叉驗(yàn)證

天岳成立于2010年，主營業(yè)務(wù)是第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底材料，屬于第三代半導(dǎo)體的上游，為終端射頻或功率器件提供原材料，公司主要產(chǎn)品包括半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底。

上市前，資本市場就對(duì)其寄予了殷切的期望。不過，細(xì)看天岳的業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)，令人擔(dān)憂的地方還有很多。

根據(jù)招股書，半絕緣型襯底業(yè)務(wù)的收入占比更高，2020年達(dá)到81.62%。其次是其他收入，導(dǎo)電型襯底業(yè)務(wù)占比較低。

來源：公司招股說明書，阿爾法工場研究院整理

根據(jù)Yole的統(tǒng)計(jì)，天岳的半絕緣型碳化硅襯底的市占率從2019年的18%提升到2020年的30%，躋身于該市場的世界前三。

來源：公司招股說明書Yole

通常市占率的大幅提升代表市場的肯定，象征著公司的產(chǎn)品得到更多客戶的認(rèn)可。然而天岳的客戶集中度遠(yuǎn)高于同行，使得其市占率提升的含金量大打折扣。

2018-2020年，公司前五大客戶合計(jì)貢獻(xiàn)的收入均超過80%， 2021年上半年，更是達(dá)到了驚人的91.68%，有越發(fā)集中的趨勢。

尤其是前兩大客戶，合計(jì)貢獻(xiàn)60%左右的收入，公司并沒有直接披露其名稱，只是以客戶A和客戶B代稱。根據(jù)招股書的其他資料，被匿名的客戶A、B仍有跡可循。