本屆峰會，充電頭網(wǎng)邀請了15家業(yè)內(nèi)知名的氮化鎵、碳化硅相關(guān)企業(yè)，現(xiàn)場為大家分享更新的行業(yè)趨勢以及產(chǎn)品技術(shù)，并展示氮化鎵、碳化硅器件在不同領(lǐng)域的應(yīng)用案例。與此同時，峰會現(xiàn)場還將有近200家電源產(chǎn)業(yè)配套企業(yè)設(shè)置展位，展示的新品數(shù)量多達千款。

據(jù)統(tǒng)計，目前已報名參加2022（春季）全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)峰會的企業(yè)分別有納微半導(dǎo)體、英諾賽科、聚能創(chuàng)芯、鎵未來、美浦森、Transphorm、熙素微、芯冠科技、能華、基本半導(dǎo)體、芯干線、英嘉通、沃泰芯、芯導(dǎo)電子、鎵華微。

在更新出臺的十四五規(guī)劃中明確指出，氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）紛紛上榜，這表明了國家即將大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心，同時，氮化鎵和碳化硅產(chǎn)業(yè)也將迎來發(fā)展的黃金時期。

根據(jù)充電頭網(wǎng)拆解報告數(shù)據(jù)顯示，目前氮化鎵技術(shù)已經(jīng)在消費類電源中實現(xiàn)了大規(guī)模普及，基于氮化鎵技術(shù)開發(fā)的快充電源產(chǎn)品多達數(shù)百款，其中不乏蘋果、華為、小米、OPPO、聯(lián)想、戴爾、華碩這樣的手機/筆電巨頭。而氮化鎵技術(shù)帶來的高效率和小體積也深受消費者青睞，成為大眾購買電源配件的主流選擇。

與此同時，碳化硅二極管在大功率電源的PFC電路中也有著廣泛的應(yīng)用，其超快的恢復(fù)效應(yīng)有助于提升產(chǎn)品效率，降低發(fā)熱；在戶外電源中，碳化硅二極管同樣能發(fā)揮其高效的特性，提升產(chǎn)品性能。

B56-B61展位：納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼: NVTS）成立于2014年，是氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)先品牌。氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制和保護集成在一起，為移動設(shè)備、消費產(chǎn)品、企業(yè)、電動汽車和新能源市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。

納微半導(dǎo)體擁有130多項專利已經(jīng)頒發(fā)或正在申請中，超過3000萬個GaNFast功率芯片已經(jīng)發(fā)貨，沒有任何關(guān)于納微氮化鎵功率芯片的現(xiàn)場故障報告。2021年10月20日，納微半導(dǎo)體敲響了納斯達克的開市鐘，并開始在納斯達克交易，當日企業(yè)價值超過10億美元，總?cè)谫Y額超過3.2億美元。

C62-C65 展位：英諾賽科科技有限公司

英諾賽科是全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵IDM企業(yè)，致力于8英寸GaN電力電子器件的研發(fā)與生產(chǎn)。產(chǎn)品主要包括高壓GaN FETs，低壓（200V及以下）GaN FETs，及GaN IC，分別應(yīng)用于5G基站、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、自動駕駛、5G通訊、快充等領(lǐng)域。以先進的工藝和領(lǐng)先的器件性能，實現(xiàn)終端應(yīng)用高頻高效、小體積化，為綠色環(huán)保做出貢獻。

A26-A29展位：青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司

青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司坐落于青島國際創(chuàng)新園區(qū)，主要從事第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵（GaN）的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售，專注于為業(yè)界提供高性能、低成本的GaN功率器件產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。

公司掌握業(yè)界領(lǐng)先的GaN功率器件與應(yīng)用設(shè)計技術(shù)。致力于整合業(yè)界優(yōu)勢資源，打造GaN器件開發(fā)與應(yīng)用生態(tài)系統(tǒng)，為PD快充、智能家電、云計算、5G通訊等提供國產(chǎn)化核心元器件支持。背靠上市公司賽微電子（300456）與知名投資基金支持，聚能創(chuàng)芯建立了業(yè)界領(lǐng)先的管理和技術(shù)團隊。在產(chǎn)品研發(fā)與量產(chǎn)過程中，始終堅持高品質(zhì)與高可靠性的要求。在得到合作伙伴廣泛認同的同時，逐步成為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際知名企業(yè)。

C08-C09，C22-C23展位：珠海鎵未來科技有限公司

珠海鎵未來科技有限公司是專注于第三代半導(dǎo)體GaN-on-Si器件技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)與應(yīng)用的高端氮化鎵功率器件設(shè)計制造商，核心團隊由IEEE Fellow 吳毅鋒博士領(lǐng)銜，深港微電子學院創(chuàng)始人及前華為海思化合物半導(dǎo)體創(chuàng)始成員組成。具有成熟的產(chǎn)業(yè)化研發(fā)和市場運營經(jīng)驗。

鎵未來致力于為業(yè)界提供從30W到10KW的氮化鎵器件及系統(tǒng)解決方案，并可實現(xiàn)10KW和900V氮化鎵器件的量產(chǎn)。

B01-B02展位：深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司

深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司2014年成立，總部位于中國改革創(chuàng)新前沿的深圳蛇口，是一家專業(yè)功率半導(dǎo)體元器件設(shè)計公司。公司產(chǎn)品包括中大功率場效應(yīng)管（高中低壓全系列產(chǎn)品，Trench MOSFET /SGT MOSFET /Super Junction MOSFET / Planar MOSFET），SiC 二極管、SIC MOSFET等系列產(chǎn)品。

美浦森半導(dǎo)體在深圳/上海設(shè)有研發(fā)中心，主要研發(fā)人員在產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)制程方面都具有豐富的行業(yè)經(jīng)驗，平均行業(yè)經(jīng)驗在15年以上。在深圳建立有半導(dǎo)體功率器件測試和應(yīng)用實驗室，主要負責產(chǎn)品的設(shè)計驗證，參數(shù)測試，可靠性驗證，系統(tǒng)分析，失效分析等，承擔美浦森產(chǎn)品的研發(fā)質(zhì)量驗證。目前，美浦森半導(dǎo)體MOSFET和碳化硅系列產(chǎn)品在LED電源，PD電源，PC和服務(wù)器電源，光伏逆變，UPS，充電樁，智能家居，BLDC,BMS,小家電等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

C06-C07展位：Transphorm Inc.

Transphorm Inc 是一家全球半導(dǎo)體公司，開發(fā)用于高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的氮化鎵（GaN）晶體管和模塊。Transphorm以業(yè)界領(lǐng)先的IP產(chǎn)品組合以及300多年的GaN工程專業(yè)知識為基礎(chǔ)，為不斷增長的客戶群提供更高性能、更高可靠性的GaN設(shè)備和一流的應(yīng)用驅(qū)動設(shè)計支持。

A18展位：上海熙素微電子科技有限公司

上海熙素微電子科技有限公司（以下簡稱“熙素微電子”）是一家聚焦于氮化鎵（GaN)、碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司， 注冊在上海自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)。

熙素微電子的技術(shù)由三個經(jīng)驗豐富功率器件開發(fā)小團隊組成，他們服務(wù)于熙素微電子之前都有15年工作經(jīng)驗；自成立之日起便啟動6英寸GaN FET、SiC MOSFET的產(chǎn)品研發(fā)工作。經(jīng)過一年的深度研發(fā)整合和極力攻關(guān)，成為一家掌握6英寸GaN FET、SiC MOSFET器件開發(fā)和SBD工藝，以及驅(qū)動芯片的公司。

熙素微電子以IDM模式與國內(nèi)一線半導(dǎo)體行業(yè)的合作伙伴完成晶圓制造、芯片封裝、模塊封裝、性能測試和可靠性測試等工作環(huán)節(jié)，為電力電子、電動汽車、新能源產(chǎn)業(yè)等提供GaN 、SiC功率器件及驅(qū)動芯片解決方案，同時打造我國獨立自主的氮化鎵和碳化硅電力電子產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)做貢獻。

B15展位：大連芯冠科技有限公司

大連芯冠科技有限公司是由海外歸國團隊于2016年3月創(chuàng)立的半導(dǎo)體企業(yè)，從事第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延材料及功率器件的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售，現(xiàn)擁有一條國際先進的6英寸半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線，涵蓋MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線、晶圓在片檢測系統(tǒng)、可靠性測試系統(tǒng)和應(yīng)用開發(fā)系統(tǒng)，已實現(xiàn)6英寸650伏硅基氮化鎵外延片和各種規(guī)格功率器件的量產(chǎn)，功率器件電源功率的應(yīng)用范圍范圍低至30W，高至6KW。

器件可廣泛應(yīng)用于消費類電子（快充、大功率適配器等）、電動汽車、太陽能逆變器、工業(yè)馬達驅(qū)動等行業(yè)。芯冠氮化鎵功率器件的特點是抗擊穿電壓高達1500V以上，兼容標準MOS的驅(qū)動，應(yīng)用開發(fā)簡單。

B26展位：江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司

江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司成立于2010年6月，由海外留學歸國博士團隊創(chuàng)辦。公司擁有從外延、設(shè)計、制造、測試和封裝等各種GaN核心技術(shù)，是一家專門從事氮化鎵(GaN)晶圓、芯片和模塊的設(shè)計，生產(chǎn)和銷售的化合物半導(dǎo)體高新技術(shù)企業(yè)。

江蘇能華于2017年已建成8寸氮化鎵生產(chǎn)線，目前公司的產(chǎn)品線涵蓋氮化鎵外延片、氮化鎵功率場效應(yīng)管和氮化鎵電源解決方案等。值得一提的是，江蘇能華是國際上少數(shù)能同時掌握E-mode及D-mode兩種GaN技術(shù)的公司。且目前已經(jīng)實現(xiàn)這兩種產(chǎn)品的量產(chǎn)，并具備兩種方案量產(chǎn)出貨的能力。