一、引言

PI 鍍銅膜作為一種重要的功能材料，在柔性電路板、電磁屏蔽等眾多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。其導(dǎo)電性能是決定其應(yīng)用效能的關(guān)鍵因素之一，而銅層厚度作為可調(diào)控的參數(shù)，對(duì)導(dǎo)電性能有著至關(guān)重要的影響。先進(jìn)院（深圳）科技有限公司一直致力于 PI 鍍銅膜相關(guān)技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新，為深入理解其性能關(guān)系提供了有力支持。

二、實(shí)驗(yàn)部分

（一）實(shí)驗(yàn)材料與樣品制備

實(shí)驗(yàn)采用先進(jìn)院（深圳）科技有限公司自主研發(fā)的 PI 薄膜作為基底材料，其具有優(yōu)異的耐高溫、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性。銅鍍層采用電鍍工藝制備，通過(guò)準(zhǔn)確控制電鍍時(shí)間、電流密度等參數(shù)，制備出一系列不同銅層厚度的 PI 鍍銅膜樣品。銅層厚度范圍設(shè)定為 1 - 10 微米，以確保涵蓋從較薄到較厚的不同應(yīng)用場(chǎng)景需求。

（二）測(cè)試方法

1. 銅層厚度測(cè)量
   運(yùn)用高精度的膜厚測(cè)量?jī)x，如 X 射線熒光測(cè)厚儀（XRF），對(duì) PI 鍍銅膜樣品的銅層厚度進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量。該儀器能夠非破壞性地快速準(zhǔn)確測(cè)定銅層厚度，測(cè)量精度可達(dá) ±0.1 微米，為后續(xù)分析提供可靠的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。
2. 導(dǎo)電性能測(cè)試
   采用四探針?lè)y(cè)量 PI 鍍銅膜的電阻率，以此表征其導(dǎo)電性能。四探針?lè)軌蛴行懦佑|電阻的干擾，準(zhǔn)確測(cè)量材料的體電阻。在測(cè)量過(guò)程中，確保探針與樣品表面良好接觸，測(cè)量環(huán)境溫度控制在 25±2℃，濕度在 40% - 60%，以減少環(huán)境因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。

三、結(jié)果與討論

（一）銅層厚度對(duì)電阻率的影響

隨著銅層厚度從 1 微米逐漸增加到 10 微米，PI 鍍銅膜的電阻率呈現(xiàn)出明顯的下降趨勢(shì)。當(dāng)銅層厚度較薄時(shí)，例如 1 - 3 微米，電阻率相對(duì)較高，這是由于此時(shí)銅層中的電子傳導(dǎo)路徑相對(duì)較少，電子散射現(xiàn)象較為嚴(yán)重，限制了電流的有效傳輸。隨著銅層厚度增加到 5 - 7 微米，電阻率下降幅度逐漸增大，電子傳導(dǎo)路徑增多，電子在銅層中的遷移更加順暢，導(dǎo)電性能顯著提升。當(dāng)銅層厚度達(dá)到 8 - 10 微米時(shí)，電阻率下降趨勢(shì)趨于平緩，表明此時(shí)繼續(xù)增加銅層厚度對(duì)導(dǎo)電性能的提升效果逐漸減弱。

（二）微觀結(jié)構(gòu)分析

四、理論分析

從理論層面來(lái)看，根據(jù)經(jīng)典的電子輸運(yùn)理論，材料的電阻率與電子的散射機(jī)制密切相關(guān)。在 PI 鍍銅膜中，當(dāng)銅層較薄時(shí)，表面散射和晶界散射起主導(dǎo)作用，導(dǎo)致電阻率較高。隨著銅層厚度增加，電子的平均自由程增加，散射概率降低，導(dǎo)電性能得到提升。當(dāng)銅層厚度達(dá)到一定程度后，內(nèi)部缺陷散射和雜質(zhì)散射成為影響電阻率的主要因素，而這些因素與銅層厚度的相關(guān)性相對(duì)較弱，因此電阻率變化趨于平緩。

五、結(jié)論

通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究與理論分析，明確了 PI 鍍銅膜導(dǎo)電性能與銅層厚度之間的關(guān)系。在銅層厚度較薄時(shí)，導(dǎo)電性能較差，隨著銅層厚度增加，導(dǎo)電性能顯著提升，當(dāng)厚度達(dá)到一定值后，提升效果逐漸減弱。先進(jìn)院（深圳）科技有限公司的研究成果為 PI 鍍銅膜在實(shí)際應(yīng)用中的銅層厚度設(shè)計(jì)提供了重要的參考依據(jù)，有助于推動(dòng)該材料在柔性電子、電磁屏蔽等領(lǐng)域的進(jìn)一步應(yīng)用與發(fā)展，為相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)提供了有力的技術(shù)支撐。
以上數(shù)據(jù)僅供參考，具體性能可能因生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品規(guī)格而有所差異。