低電壓濺射制備ITO薄膜由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控濺射制備ITO薄膜的過程中，會產(chǎn)生大量的氧負離子，氧負離子在電場的作用下，以一定的粒子能量會轟擊到所沉積的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)和晶體狀態(tài)造成結(jié)構(gòu)缺陷。
    濺射的電壓越大，氧負離子轟擊膜層表面的能量也越大，那么造成這種結(jié)構(gòu)缺陷的幾率就越大，產(chǎn)生晶體結(jié)構(gòu)缺陷也越嚴重，從而導(dǎo)致了ITO薄膜的電阻率上升。
    一般情況下，磁控濺射沉積ITO薄膜時的濺射電壓在-400V左右，如果使用一定的工藝方法將濺射電壓降到-200V以下，那么所沉積的ITO薄膜電阻率將降低50%以上，這樣不僅提高了ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，同時也降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
    兩種在直流磁控濺射制備ITO薄膜時，降低薄膜濺射電壓的有效途徑磁場強度對濺射電壓的影響當(dāng)磁場強度為300G時，濺射電壓約為-350v；但當(dāng)磁場強度升高到1000G時，濺射電壓下降至-250v左右。
    一般情況下，磁場強度越高、濺射電壓越低，但磁場強度為1000G以上時，磁場強度對濺射電壓的影響就不明顯了。因此為了降低ITO薄膜的濺射電壓，可以通過合理的增強濺射陰極的磁場強度來實現(xiàn)。

    為了有效地降低磁控濺射的電壓，以達到降低ITO薄膜電阻率的目的，可以采用一套特殊的濺射陰極結(jié)構(gòu)和濺射直流電源，同時將一套3KW的射頻電源合理地匹配疊裝在一套6KW的直流電源上，在不同的直流濺射功率和射頻功率下進行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究。
    當(dāng)磁場強度為1000G，直流電源的功率為1200W時，通過改變射頻電源的功率，經(jīng)大量的工藝實驗得出：“當(dāng)射頻功率為600W時，ITO靶的濺射電壓可以降到-110V”的結(jié)論。因此，RF+DC新型電源的應(yīng)用和特殊濺射陰極結(jié)構(gòu)的設(shè)計也能有效的降低ITO薄膜的濺射電壓，從而達到降低薄膜電阻率的目的。
    降低ITO薄膜電阻率的新沉積方法——HDAP法，是利用高密度的電弧等離子體（HDAP）放電轟擊ITO靶材，使ITO材料蒸發(fā)，沉積到基體材料上形成ITO薄膜。由于高能量電弧離子的作用導(dǎo)致ITO粒子中的In、Sn達到完全離化，從而增強沉積時的反應(yīng)活性，達到減少晶體結(jié)構(gòu)缺陷，降低電阻率的目的。
    利用同樣成分的ITO材料，其它工藝條件保持一樣，并在同樣的基片溫度下，分別進行“DC磁控濺射”、“DC+RF磁控濺射”、“HDAP法制備ITO薄膜”的實驗。
 
    實驗結(jié)果可以看出，利用HDAP法能獲得電阻率較低的ITO薄膜，尤其是在基片溫度不能太高的材料上制備ITO薄膜時，使用HDAP法制備ITO薄膜可以得到較理想的ITO薄膜�；瑴囟鹊�350℃左右時，這三種沉積方法對ITO薄膜電阻率的影響較小。
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