隨著科技的發(fā)展,電子器件特別是平板顯示朝著輕薄化方向發(fā)展,柔性襯底透明導電薄膜因其具有重量輕,可變形,不易碎等優(yōu)點,已成為目前國際上研究的一大熱點。

眾所周知,ITO作為透明導電膜已成功地運用在光電子器件中長達五十多年,但是由于其柔性性能很差,完全不適合作為制備柔性透明導電薄膜材料。納米銀線(AgNW)透明導電薄膜因其具有更好的導電性、透過率和優(yōu)異的彎折性,是最有潛力替代ITO的材料。納米銀線柔性透明導電薄膜的制備方法和性能,其內(nèi)容如下：

1.本文首先采用真空抽濾的方法,在一種混合纖維素(MCE)膜上制備了納米銀線薄膜,然后用丙酮把MCE膜溶解掉后將AgNW分別轉(zhuǎn)移在聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯醇(PVA)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)基底上。通過轉(zhuǎn)移的方法可以選擇不同的基底從而很好地克服了柔性基底一般耐高溫性能不好的缺陷。除此之外,由于MCE膜本身在丙酮蒸汽環(huán)境中放置一段時間后變得透明且無孔,所以可以直接采用MCE作基底,從而省去了轉(zhuǎn)移的步驟,使得柔性透明導電納米銀線薄膜的制備更為簡單。

2.對在不同基底上制備的柔性透明AgNWs導電薄膜的導電性能、透光性能、柔性性能和與基底的粘附性能進行了研究。研究表明：以透明MCE為基底的AgNWs具有更好的光電性能,制備得到透過為85%左右,方阻為50Ω/(?)的AgNWs-MCE膜;AgNWs-MCE和AgNWs-PVA兩種薄膜銀線與基底的粘附力非常出色,在經(jīng)過膠帶和摩擦測試后,薄膜的方阻變化甚微。

    3.通過增加粘附層、溶解基底表面和添加保護層三種方法對與基底粘附力差的AgNWs-PET膜進行了改進。改進后的AgNWs-PET膜的粘附力得到了顯著的提高,其中增加粘附層的方法改善最為有效。

    4.通過激光刻蝕的方法實現(xiàn)對AgNWs-PVA膜的圖形化,并將圖形化后AgNWs-PVA膜電路成功地用于制備透明柔性LED顯示電路中。