將氮化鎵器件和控制器合封在一起，是現(xiàn)階段氮化鎵器件應(yīng)用的理想解決方案。合封解決方案能夠更大限度的降低氮化鎵應(yīng)用門檻，使氮化鎵能夠像普通的集成電源芯片一樣去使用，而無需考慮氮化鎵需要特殊的驅(qū)動電路，或搭配專門的驅(qū)動器使用。從而簡化電路設(shè)計，讓更多的電源工程師都能簡單上手。

華源半導(dǎo)體推出了一款內(nèi)置650V耐壓，165mΩ氮化鎵開關(guān)管的原邊合封芯片HYC3655，這款氮化鎵合封芯片將氮化鎵功率器件、氮化鎵驅(qū)動器和多模式反激開關(guān)電源控制器集成在一顆芯片內(nèi)部。采用智能數(shù)字多模式控制，支持CCM/DCM/PFM/突發(fā)運行模式，以獲得效率和性能的平衡。

華源智信半導(dǎo)體（深圳）有限公司專注于數(shù)字電源管理芯片的設(shè)計與開發(fā)，公司的主要骨干具有多年豐富的數(shù)字電源管理芯片的經(jīng)驗，現(xiàn)有全職員工100多人， 90%以上的研發(fā)人員具有研究生以上的學(xué)歷， 平均從業(yè)年資在10年以上。公司總部在深圳市南山科技園，分別在硅谷、武漢、合肥以及香港設(shè)立研發(fā)中心和辦事處。

華源半導(dǎo)體HYC3655采用DFN8封裝，擁有大面積散熱焊盤，可降低器件運行時的溫升。芯片內(nèi)置抖頻改善EMI性能，同時內(nèi)置的自適應(yīng)柵極驅(qū)動器可平衡開關(guān)損耗和EMI，獲得優(yōu)秀的整體表現(xiàn)。

華源半導(dǎo)體 HYC3655支持副邊反饋，內(nèi)置環(huán)路補償。內(nèi)置豐富的保護功能，包括VCC供電過壓保護、變壓器磁飽和保護、取樣電阻短路保護、過熱保護、過載保護，輸出過電壓保護。芯片基準(zhǔn)開關(guān)頻率為89KHz，支持頻率反向控制技術(shù)，提升高壓輸入的轉(zhuǎn)換效率。

HYC3655待機功耗小于75mW，具有低啟動電流。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應(yīng)用，提供簡單易用高效的氮化鎵合封電源方案。

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