金屬膜系導(dǎo)電膜的制備方法主要為濺射型和金屬柵網(wǎng)型兩大類，主要用作透明電磁屏蔽材料。

濺射型是指將金屬直接濺射在基材上。金屬導(dǎo)電性好，但一般只有當(dāng)其厚度低于20nm時，對光的吸收和反射才會大大下降，呈現(xiàn)出好的透光性，而膜層厚度過低，得不到連續(xù)膜，導(dǎo)電性惡化。因此，受其性能及成本的所限，該制備工藝市場應(yīng)用很少。

金屬系透明導(dǎo)電膜多以金屬柵網(wǎng)型為主，其又可分成蝕刻法，纖維編織法，印刷法以及銀鹽法等。其中印刷法和銀鹽法是近年推出的制備透明導(dǎo)電膜的新工藝，具有成本低、柔韌性好、表面電阻可調(diào)等優(yōu)點。

氧化物膜系透明導(dǎo)電膜

ITO膜是目前研究和應(yīng)用最廣泛的氧化物透明導(dǎo)電薄膜之一，對In2O3和SnO2的能帶研究表明，符合化學(xué)計量比的In2O3和SnO2均為寬禁帶絕緣體。

制備柔性TCO透明導(dǎo)電膜較為成熟的方法主要有磁控濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍。

但這幾種制備方法都存在各自的缺陷，如濺射法等設(shè)備復(fù)雜，成本高，不適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。

而且柔性基材耐高溫性差，不利于ITO薄膜的生長，從而使制備的薄膜電阻率偏高，所以，有待于進(jìn)一步改進(jìn)TCO膜的制備技術(shù)。

高分子膜系透明導(dǎo)電膜

導(dǎo)電高分子是由一些具有共扼!鍵的聚合物經(jīng)化學(xué)或電化學(xué)摻雜后形成的，導(dǎo)電率可從絕緣體延伸到導(dǎo)體范圍的一類高分子材料。

金屬基復(fù)合多層導(dǎo)電膜

目前主要有電介質(zhì)/金屬/電介質(zhì)(D/M/D)和透明導(dǎo)電氧化物/金屬/透明導(dǎo)電氧化物(TCO/M/TCO)復(fù)合多層膜。目前金屬基復(fù)合多層導(dǎo)電膜在熱穩(wěn)定性、與柔性基材的結(jié)合強(qiáng)度等方面還需改進(jìn)。

碳系復(fù)合導(dǎo)電膜

日本東海大學(xué)聯(lián)和先進(jìn)院科技開發(fā)工學(xué)系的研究人員于2007年10月宣布，利用以氫氧化鎂為主要成分開發(fā)出碳系復(fù)合導(dǎo)電膜。

該導(dǎo)電膜制造工藝采用RF磁控濺射法，通過在室溫、低真空中濺射金屬Mg和石墨。

形成Mg和C的混合物膜，之后，只需把薄膜在水蒸氣環(huán)境下放置10~15分鐘，H2O和Mg就會緩緩發(fā)生反應(yīng)，使原本不透明的薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)橥该鳌?

雖然還存在電阻率比較低，對基材粘附性、阻值穩(wěn)定性、溫度依賴性等問題，但具有材料成本低，制造工藝簡單等特點。

導(dǎo)電泡棉&柔性薄膜基本結(jié)構(gòu)及復(fù)合導(dǎo)電致密FOF墊層

基本結(jié)構(gòu)與復(fù)合材料-柔性膜指料

產(chǎn)品矩陣和材料表

*所有材料可根據(jù)客戶要求定制或指定。

一、特性和好處

①高性能:

?>的屏蔽效果50dB跨寬頻譜的頻率。

?耐磨金屬織物的屏蔽性能幾乎沒有下降。

?表面電阻率低，根據(jù)織物的不同可達(dá)0.05歐姆/平方，確保良好的穩(wěn)定接地效果。

?極低的壓縮力允許使用更輕的材料

長期的可靠性:

?鎳/銅(Ni/Cu)織物在環(huán)境暴露后，按照加速老化試驗(ASTM B845-93 Method H)顯示沒有顯著的性能退化。

?聚氨酯/軟聚氨酯芯提供低壓縮設(shè)置，確保墊圈性能的長期可靠性。

②低成本:

?容易與PSA組裝

?成本較低的解決方案相比，緊固件或彈片與金涂層。