高溫共燒陶瓷 HTCC銀漿（High Temperature co-fired Ceramic），采用材料為鎢、鉬、鉬、錳等高熔點金屬發(fā)熱電阻漿料按照發(fā)熱電路設(shè)計的要求印刷于92～96％的氧化鋁流延陶瓷生坯上，4～8％的燒結(jié)助劑然后多層疊合，在1500～1600℃下高溫下共燒成一體。

因HTCC燒成溫度高，HTCC采用鎢、鉬、錳等難熔金屬材料，這些材料電導(dǎo)率低，會造成信號延遲等缺陷，所以不適合做高速或高頻微組裝電路的基板。但是，HTCC基板具有結(jié)構(gòu)強度高、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好和布線密度高等優(yōu)點，因此在大功率微組裝電路中具有廣泛的應(yīng)用前景。

高溫共燒陶瓷中較為重要的是以氧化鋁、莫來石和氮化鋁為主要成分的陶瓷。

氧化鋁銀漿

氧化鋁陶瓷技術(shù)是一種比較成熟的微電子封裝技術(shù)，它 由 92～96%氧 化 鋁，外 加 4～8% 的燒結(jié)助劑在1500- 1700℃下燒結(jié)而成，其導(dǎo)線材料為鎢、鉬、鉬一錳等難熔金屬。

該基板技術(shù)成熟，介質(zhì)材料成本低，熱導(dǎo)率和抗彎強度較高。但是，氧化鋁多層陶瓷基板有下列缺點:

 （1）、介電常數(shù)高， 影響信號傳輸速度的提高； 

 （2）、導(dǎo)體電阻率高， 信號傳輸損耗較大；

 （3）、熱膨脹系數(shù)與硅相差較大，從而限制了它在巨型計算機上的應(yīng)用。

莫來石

莫來石的介電常數(shù)為 7.3- 7.5， 而氧化鋁( 96%) 的介電常數(shù)為 9.4， 高于莫來石， 所以莫來石的信號傳輸延遲時間可比氧化鋁小17%左右,并且，莫來石的熱膨脹系數(shù)與硅很接近，所以這種基板材料得到了快速發(fā)展。

例如日立、Shinko 等公司均開發(fā)了莫來石多層陶瓷基板，并且其產(chǎn)品具有良好的性能指標。不過此基板的布線導(dǎo)體只能采用鎢、鎳、鉬等， 電阻率較大而且熱導(dǎo)率低于氧化鋁基板。

氮化鋁銀漿

對于氮化鋁基板來說，由于氮化鋁熱導(dǎo)率高，熱膨脹系數(shù)與Si、SiC和GaAs等半導(dǎo)體材料相匹配，其介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均優(yōu)于氧化鋁，并且 AlN 是較硬的陶瓷，在嚴酷的環(huán)境條件下仍能很好地工作。

比如在高溫時 AlN 陶瓷依然具有極好的穩(wěn)定性，因此，氮化鋁用作多層基板材料，在國內(nèi)外都得到了廣泛研究并已經(jīng)取得令人矚目的進展。