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主要成分是90%的In2O3和10%?的SnO2 ITO導(dǎo)電膜是氧化銦錫膜

時間:2023-07-06瀏覽次數(shù):969

氧化銦錫膜是一種透明無色的薄膜狀氧化銦錫,通常有兩個性能指標(biāo):電阻率和透光率。它在薄膜狀時,為透明無色。在塊狀態(tài)時,它呈黃偏灰色。

氧化銦錫主要的特性是其電學(xué)傳導(dǎo)和光學(xué)透明的組合。然而,薄膜厚度對導(dǎo)電性的影響很大,因此需要在制備過程中進行控制。

ITO導(dǎo)電膜導(dǎo)電原理,ITO導(dǎo)電膜是氧化銦錫膜,主要成分是90%的In2O3和10% 的SnO2,其晶體結(jié)構(gòu)是立方鐵錳礦結(jié)構(gòu),是一種可直接躍遷寬禁帶的半導(dǎo)體材料。ITO導(dǎo)電膜主要成分In2O3在形成過程中沒有構(gòu)成理想的化學(xué)配比結(jié)構(gòu),結(jié)晶結(jié)構(gòu)中缺少氧原子,因此存在過剩的自由電子,于是ITO膜具備了一定的導(dǎo)電性。

主要成分是90%的In2O3和10% 的SnO2 ITO導(dǎo)電膜是氧化銦錫膜


如何提升ITO導(dǎo)電膜導(dǎo)電性能,如果想要提高ITO膜的導(dǎo)電性能,可利用高價的陽離子如Sn摻雜在In2O3晶格中替代In^3+的位置,那么自由導(dǎo)電電子的濃度隨之增加,進而提升氧化銦的導(dǎo)電性,ITO膜的導(dǎo)電性能增強。需要注意的是,在ITO膜層中,Sn通常以Sn^2+或Sn^4+的形式存在,由于In在In2O3中是正三價,Sn^4+的存在創(chuàng)造一個電子導(dǎo)帶,而Sn^2+的存在則會降低導(dǎo)帶中的電子密度。

在不同的配比下,采用相分離的技術(shù),將柔性ITO導(dǎo)電薄膜、單組份紫外光學(xué)固化膠NOA65、聯(lián)苯氰胺向列液晶混合物E7,制備成PDLC光開關(guān)的過程和方法進行了闡述,給出電光特性的測試結(jié)果和分析,得到更佳配比的閾值電壓為12.6 V,透過率為87.6%,對比度為71.8。

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