在電子元器件制造中，多層共燒技術(shù)廣泛應(yīng)用于制備高性能的陶瓷基板和多層片式元件。共燒鉑電極漿料因其良好的導(dǎo)電性和化學(xué)穩(wěn)定性成為常用材料。然而，在多層共燒過(guò)程中，層間污染問(wèn)題時(shí)有發(fā)生，嚴(yán)重影響產(chǎn)品性能與可靠性。先進(jìn)院（深圳）科技有限公司在解決這一技術(shù)難題上投入了大量研究，取得了一系列成果。

一、層間污染的成因

（一）元素?cái)U(kuò)散

在高溫共燒時(shí)，鉑電極漿料中的某些元素，如助熔劑中的堿金屬元素，會(huì)因熱驅(qū)動(dòng)向相鄰陶瓷層擴(kuò)散。這些元素進(jìn)入陶瓷晶格后，可能改變陶瓷的電學(xué)和物理性能，導(dǎo)致層間絕緣性能下降。例如，鈉離子擴(kuò)散到陶瓷層中，會(huì)增加陶瓷的離子電導(dǎo)率，引發(fā)漏電等問(wèn)題。

（二）揮發(fā)與再沉積

共燒過(guò)程中，鉑電極漿料中的有機(jī)添加劑和部分低熔點(diǎn)成分會(huì)揮發(fā)。這些揮發(fā)物在爐內(nèi)氣氛中遷移，若不能及時(shí)排出，就可能在溫度較低的區(qū)域重新沉積在陶瓷層表面，形成污染層，影響層間結(jié)合力和電氣性能。

二、先進(jìn)院（深圳）科技有限公司的解決策略

（一）優(yōu)化漿料配方

先進(jìn)院（深圳）科技有限公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過(guò)調(diào)整鉑電極漿料的配方，減少易擴(kuò)散和揮發(fā)的成分。他們采用新型的低擴(kuò)散助熔劑體系，降低了堿金屬元素的含量，并優(yōu)化了有機(jī)添加劑的種類和比例。例如，使用具有更高熱穩(wěn)定性的有機(jī)載體，減少其在共燒過(guò)程中的揮發(fā)量。經(jīng)過(guò)多次實(shí)驗(yàn)優(yōu)化，研發(fā)出的新型鉑電極漿料，有效抑制了元素?cái)U(kuò)散和揮發(fā)，顯著降低了層間污染風(fēng)險(xiǎn)。

（二）改進(jìn)工藝控制

（三）使用阻隔層

先進(jìn)院（深圳）科技有限公司還提出在鉑電極與陶瓷層之間引入阻隔層的方法。阻隔層材料選用具有高化學(xué)穩(wěn)定性和低擴(kuò)散系數(shù)的物質(zhì)，如特定成分的氧化物薄膜。在多層共燒前，通過(guò)濺射、涂覆等工藝在陶瓷層表面制備阻隔層。阻隔層能夠有效阻擋鉑電極漿料中元素的擴(kuò)散，同時(shí)不影響電極與陶瓷層的結(jié)合性能。實(shí)驗(yàn)表明，使用阻隔層后，層間污染問(wèn)題得到了極大改善，產(chǎn)品的良品率顯著提高。

先進(jìn)院（深圳）科技有限公司通過(guò)優(yōu)化漿料配方、改進(jìn)工藝控制以及引入阻隔層等一系列措施，成功解決了共燒鉑電極漿料在多層共燒過(guò)程中的層間污染問(wèn)題，為電子元器件制造企業(yè)提供了可靠的技術(shù)支持，推動(dòng)了多層共燒技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用。
以上數(shù)據(jù)僅供參考，具體性能可能因生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品規(guī)格而有所差異。